固态硬盘存储介质和控制器,用于存储海量训练数据集和模型权重,AI时代对高速大容量存储需求快速增长。

上游依赖

硅片、光刻设备

服务下游

数据中心存储系统、消费电子

赛道受益 AI 逻辑

AI训练和推理需要处理海量数据集(文本、图片、视频、代码),这些数据的存储和快速读取依赖高性能SSD(基于NAND闪存)。企业级SSD在AI数据中心中的用量大幅增加。 因果链:AI模型训练数据集规模急剧膨大 → 数据预处理和加载需要高吞吐SSD → 数据中心企业级SSD需求增长 → NAND价格从2023年底部回升 → 高层数3D NAND(200层+)量产驱动成本下降 不过,相比HBM,NAND受益AI的程度较弱——AI工作负载对存储带宽的需求远不如对内存带宽的需求那么极端。NAND更大的驱动力来自手机和PC的存储容量升级。

全球NAND市场

~$650亿

2024年,含SSD和嵌入式

企业级SSD需求

+40%

2024年同比增长

3D NAND层数

200层+

2024年主流量产水平

市场格局与竞争态势

NAND市场是五寡头格局:三星、SK海力士/Solidigm(Intel NAND被SK收购后整合)、铠侠(Kioxia,原东芝存储)、美光、西部数据(WD)。三星以约35%市占率领先,但各家差距不如DRAM那么悬殊。 企业级SSD需求强劲(AI+云),但消费级(手机、PC)复苏温和。2024年NAND价格从底部反弹约50%,行业重新盈利。铠侠2024年IPO(东京上市),是近年最大的半导体IPO之一。 格局特征:NAND行业周期性极强,价格波动幅度远大于DRAM。技术竞争集中在堆叠层数(越多成本越低),三星和美光在200层+技术领先。

主要厂商市场份额

三星 (005930.KS)
~35%
SK集团 (Solidigm)
~20%
铠侠 Kioxia
~16%
美光 (MU)
~15%
西部数据 (WDC)
~14%

关键变量与不确定性

核心驱动因素

AI企业级SSD需求强劲增长3D NAND层数提升降低单位成本NAND价格周期回升手机和PC存储容量升级

主要不确定性

价格周期波动大幅影响盈利供给过剩风险(各厂商扩产)AI对NAND的拉动不如HBM直接铠侠IPO后的竞争策略变化

NAND是典型的周期性半导体产品,价格年波动幅度可达50%以上。2024年回升后,2025年下半年需关注是否再次进入供过于求。AI对NAND的拉动力度不如对HBM那么强——如果AI资本支出放缓,NAND受影响相对较小。

代表性公司解读

所在产业链位置

上游材料与设备 2条
制造核心 4条
芯片设计 7条
上游 下游
预设链路:
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产业链联动

上游是半导体设备(NAND制造需要大量刻蚀和沉积设备,Lam Research和Applied Materials受益最大)和硅片材料。 下游对接企业存储(Dell、HPE等存储方案商)和数据平台赛道。数据中心的大规模建设直接拉动企业级SSD出货。与HBM/DRAM赛道同属存储大类,但驱动因子和周期节奏不完全同步。

相关赛道

下一步研究建议